*RAM DDR 256 MBit já disponível

A RAM de 128 MBit representava até a pouco a ponta do competitivo mercado de memória. Mas as empresas líderes no ramo começam a migrar para 256 MBit, acompanhando as tendências do mercado de microcomputadores.

Especialistas esperavam que a SDRAM (RAM dinâmica sincrônica) usando a tecnologia DDR seria o próximo padrão de memória. A SDRAM já vem sendo empregada nas placas de PC, na versão DDR (double data rate, taxa dupla de dados) a memória transfere dados tanto na subida quanto na descida do sinal do clock, dobrando sua velocidade. Mas a INTEL resolveu adotar a RDRAM- RAMBUS DRAM como padrão para sua plataforma de microprocessadores, deixando o assunto em suspenso. O problema é que a RAMBUS, apesar do melhor desempenho, é mais cara e exige alterações no layout de interfaces. 

Para ficar na ponta deste competitivo mercado a TOSHIBA resolveu dar prioridade na produção de DDR-DRAM 256 MBit, diminuindo a participação das versões 128 e 64 MBit. Apoiada pela INTEL ela apresenta sua linha de DDR-RAMBUS 256 MBit, com velocidades de 800 - 711 - 600 MHz e configuração x16, ou x18 com ECC. Mas continuará a linha de produção DDR-SDRAM 256 MBit.

           *CI 3D já é possível para ROM

O futuro na fabricação de CIs está na tecnologia 3D. Camadas de semicondutores são superpostas, separadas por isolante, formando uma estrutura vertical. As possibilidades que esta nova técnica abre são muitas, mas no momento ainda esbarram em algumas questões práticas. A maior delas é precisar de 850ºC para processamento do wafer, o que prejudica a metalização do CI.

Se para componentes ativos o 3D ainda é só futuro, para componentes passivos ela já pode ser aplicada. ROM 3D, utilizando diodo metal-para-metal como célula de memória é uma tecnologia confiável e de baixo custo.

A ROM 3D funciona como um teclado por varredura. A corrente aplicada numa fileira chega às respectivas colunas somente se houver um diodo entre elas - bit 0 - caso contrário, não havendo diodo, a corrente não chega e é bit 1. No caso a coluna é a camada 3D superior, as fileiras a camada inferior, com o diodo integrado entre elas.

A ROM 3D pode ser fabricada como camada superior de uma pastilha - por exemplo, no andar de baixo fica o microprocessador e no de cima a ROM 3D. Entre eles basta integrar um codificador. Aliás, a este respeito, a ROM 3D suporta dezenas de milhares de vias de conexões, aumentando sobremaneira a rapidez da transmissão de dados.

Uma ROM 3D fica com o custo de 5 centavos de dólar por Mbyte, enquanto uma SRAM chega a US$ 10. e a flash ROM US$ 2. A latência (que determina o tempo gasto com acesso à memória) é, respectivamente, 1useg, 10 nseg e 50 nseg. Com esta performance a ROM 3D já é uma alternativa ao hard-disk drive.