edição-redação: Maurício Caruzo Reis- LETRON LIVROS 
                            março  2001
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                Tecnologia

      *Tecnologia de semicondutor chega ao limite
      
*Pesquisas da Nanoeletrônica estão adiantadas
             

  *Tecnologia de semicondutor chega ao limite

    As atuais tecnologias de semicondutor - principalmente o CMOS - estão chegando nos seus limites. Esta afirmação, bastante difundida, agora foi confirmada pela influente SIA- Semiconductor Industry Association, na edição de 1999 do International Technology Roadmap for Semiconductors.
    Segundo a SIA nos próximos 10 ou 15 anos a maioria das capacidades tecnológicas para semicondutores estarão aproximando de, ou terão chegado a, seus limites. O Roadmap propõe a pesquisa de novos dispositivos que possam substituir o CMOS.
    De fato os recursos da tecnologia de semicondutor já estão sendo estendidos pelo uso de novos materiais. O mais conhecido é o SiGe - Silício Germânio - usado para altas frequências de funções RF. Alguns outros poderão ser descobertos e implementados, mas o prazo de 10 a 15 anos para o esgotamento da tecnologia de semicondutor parece irreversível.

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  *Pesquisas da Nanoeletrônica estão adiantadas 

    Nanoeletrônica é a Eletrônica construída com dispositivos do tamanho do nanometro - 0,000 000 1 metro ! Embora pareça ficção científica é bom lembrar que a tecnologia atual está na casa dos 13 mícrons - 0,000 013. E justamente o esgotamento desta tecnologia está levando à busca de novos recursos na Nanoeletrônica.
    Uma das mais interessantes tecnologias da Nanoeletrônica é a manipulação de prova atômica: a estrutura do dispositivo é construída átomo por átomo. A precisão conseguida é absoluta, mas tem um defeito capital - a lentidão do processo. Cientistas da IBM e da CORNELL UNIVERSITY têm trabalhado intensamente nesta tecnologia, e se conseguirem algum artifício para acelerar o processo ela terá futuro garantido.
    Montagem molecular é outra tecnologia promissora, pesquisa liderada pela UNIVERSIDADE DE MASSACHUSETTS. Dois copolímeros em estado líquido são depositados num filme, que é submetido a um campo elétrico. Endurecendo o filme e retirando um dos componentes sobra uma estrutura molecular hexagonal regular com lacunas de 14 nanometros. Basta então preencher as lacunas com eletrodeposição.
    Mas no momento a tecnologia nanoeletrônica que mais chama a atenção é a nano-impressão, sob pesquisa na UNIVERSIDADE DE PRINCETON. Um feixe eletrônico é usado para criar relevos num molde de de Silício. O molde é usado então para estampar outras peças.
    O grande problema da montagem molecular e da nano-impressão é a formação de áreas defeituosas. Com semicondutores tipo CMOS também ocorre este problema, mas significa apenas pequena percentagem na área do dispositivo, simplesmente alterando os coeficientes do substrato. Na Nanoeletrônica o defeito tem a área do próprio dispositivo, tornando-o inoperante. Os cientistas acreditam que não conseguirão eliminar totalmente estas falhas na estrutura, mas desenvolverão técnicas que as manipulem adequadamente.

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