edição-redação:
Maurício Caruzo Reis- LETRON LIVROS
julho/agosto
2001
Eletronicaria
-
Notícias
e l e t r ô n i c a e l e t r ô n i c a
e l e t r ô n i c a
resumo
áudio-vídeo
informática
internet
negócios
tecnologia
telecom
edições
anteriores
Tecnologia
*IBM
inventa transistor de 210 GHz
*INTEL
anuncia transistor de 0,02 mícrons
*IBM
inventa transistor de 210 GHz
A IBM anunciou a invenção de transistor com frequência de
chaveamento 210 GHz, o mais rápido do mundo. O dispositivo é fabricado com
SiGe, tecnologia 0,18 mícrons, consumindo apenas 1 miliAmpère.
Em dois anos o novo tipo de transistor estará comercialmente
disponível. A principal aplicação será em equipamentos de comunicação.
sobe
*Intel
anuncia transistor de 0,02 mícrons
A INTEL está apresentando o menor transistor já fabricado.
Medindo 0,02 mícrons de gate a gate (contra os atuais 0,13 mícrons) ele é fabricado com o tradicional dióxido de Silício. O transistor
permitirá o projeto de uma nova geração de microprocessadores para 2007.
Um detalhe chama a atenção: a camada isolante tem a espessura
de 3 átomos. Isto deixa claro que a atual tecnologia de semicondutores, baseada no dióxido de Silício, está chegando ao seu final. Já na
próxima década será impossível continuar aumentando a quantidade de transistores
integrados numa pastilha.
sobe
| 
