edição-redação:
Maurício Caruzo Reis- LETRON LIVROS
setembro/outubro
2001
Eletronicaria
-
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Tecnologia
*VCSEL
é nova opção de laser
*FUJITSU
desenvolve RAM ferroelétrica
*Centro
de Eletrônica avançada em Porto Alegre
*Transistor
de 1 elétron por nanocadeia
*VCSEL
é nova opção de laser
No laser
tradicional ("edge emitter", emissor de borda) uma cavidade
semicondutora fica entre duas extremidades polidas do wafer, recobertas por
filme, as quais formam o espelho refletor. A voltagem aplicada nos pólos da
pastilha provocam a emissão de fótons, que se amplificam na cavidade e é
transformada em um feixe de luz escapando pelas bordas.
Um dos problemas do laser emissor de borda é que seus
espelhos não são muito refletores, exigindo cavidades razoavelmente longas
para maior ganho na amplificação da luz. Cavidades longas, por sua vez,
provocam dispersão cromática (o laser não será perfeitamente monocromático)
e complicam processos de modulação. Além disto a construção deste tipo
de espelhos refletores dificulta a fabricação e integração dos
dispositivos.
Para contornar os problemas da dispersão alguns lasers de
emissão de borda usam grades para filtro de frequência - são denominados DFB
(laser de feedback distribuído). Os que não têm a grade são conhecidos por
Fabry-Perot. Lasers do tipo DFB, embora consigam contornar a dispersão, têm
alto consumo de energia e são mais volumosos.
Uma alternativa recente para o emissor de borda é o laser
VCSEL - "vertical cavity surface emitting laser" (emissão de
superfície de cavidade vertical). A cavidade é muito menor, com facilidade de
modulação e menor dispersão cromática. O novo processo dispensa os espelhos
refletores com filme, permitindo integração a baixo custo.
sobe
*FUJITSU
desenvolve RAM ferroelétrica
FUJITSU e RAMTRON anunciaram que está
pronto o processo de fabricação em 0,35 mícrons da FRAM - RAM ferroelétrica
(magnética). Este tipo de memória concorrerá com a EEPROM, apresentando
várias vantagens (entre elas custo, durabilidade e confiabilidade).
A FUJITSU e a RAMTRON estão há 5 anos desenvolvendo o
projeto. Os primeiros protótipos incluem memória de 1 Mbit e
microcontroladores de 64 Kbits de FRAM. Os novos chips serão fabricados da
fábrica de Iwate- Japão.
sobe
*Centro
de Eletrônica avançada em Porto Alegre
A MOTOROLA, em colaboração com governos
federal, estadual e municipal, está implantando em Porto Alegre- RS, o CEITEC-
Centro de Excelência em Tecnologia Eletrônica Avançada. Ele será instalado
entre os campus da UFRG e da PUC-RS, na avenida do Trabalhador.
O CEITEC fará protótipos de circuitos integrados, além de
formar mão de obra especializada de alto nível na área de Eletrônica. Está
previsto também que o CEITEC funcionará como instituição âncora do Programa
Nacional de Microeletrônica do Ministério da Ciência e Tecnologia.
sobe
*Transistor
de 1 elétron por nanocadeia
A pesquisa de transistor constituído por
1 só elétron - SET ("single electron transistor") - já está
avançada e apresentando os primeiros dispositivos, principalmente a tecnologia
de nanotubos da IBM. Mas estas pesquisas são complexas e resultam em
dispositivos também complexos e caros.
A novidade que vem da Universidade de Osaka, no Japão, é a
simplicidade e baixo custo para produção de SET através de nanocadeias. Num
laboratório equipado somente com um forno, uma câmara de vácuo, um container
de quartzo e apenas três pesquisadores foram dados os primeiros passos para o
SET através de nanocadeia.
As nanocadeias são aglomerados de glóbulos cristalinos
condutores, com cerca de 10 nanometros, e dióxido de silício isolante com 7 a
8 nanometros. Para que as cadeias apresentem o efeito quântico túnel desejado
será preciso reduzir seu tamanho a 2 nanometros, o que parece perfeitamente
possível.
Grandes empresas da área de Microeletrônica já se
interessaram e devem financiar o projeto.
sobe
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