*Ultra banda larga UWB é opção de comunicação
*Microlaser de 1 nm integrado em chip
        
        
*Ultra banda larga UWB é opção de comunicação

    Até nossos dias a UWB ("ultra wide band", ultra banda larga) foi tecnologia usada exclusivamente pelos militares. Mas nos EUA aguarda apenas a regulamentação pelo FCC para chegar aos lares e residências, implementada em dispositivos de Eletrônica de consumo.
    A UWB também é conhecida como tecnologia de impulso, banda de base ("baseband"), e zero portadora ("zero carrier"). Como os nomes indicam, é um trem de pulsos rápidos - de 10 a 1000 picosegundos cada - sem portadora.
    A principal característica da UWB é a extensão da faixa de frequências que ocupa em torno de uma frequência central. Enquanto um canal de TV usa 6 MHz em torno da portadora de aproximadamente 100 MHz, um canal UWB ocuparia qualquer coisa entre 10 MHz e 1000 MHz em torno da frequência central de 100 MHz.
    De fato um serviço UWB pode atingir uma faixa de GigaHz. O mais interessante de tudo é que a UWB pode se sobrepor à outra transmissão de banda estreita naquela mesma banda. No exemplo acima, o serviço UWB coexistiria perfeitamente com o canal de TV, sem intervir nele. Nesta época em que o espectro de frequências disponíveis está se esgotando pode ser uma alternativa indispensável.
    Esta sobreposição é possível porque a UWB transmite com potência muito baixa, 75 nanoWatts por MegaHertz. Isto significa tipicamente 0,26 miliWatts de potência (contra 30 a 100 mW de rádios 802.11b e 1 mW a 1 W no Bluetooth). Obviamente outra vantagem, quando se discute questões de saúde ligadas à transmissões de telecomunicações.
    A implementação da UWB é muito simples. Pela baixa potência da transmissão não é preciso amplificador - circuitos CMOS alimentam diretamente a antena. 
    Duas técnicas são usadas para modulação da UWB. A primeira é a PPM ("pulse-position modulation", modulação de posição de pulso); a modulação é obtida pela variação da distância entre os pulsos. A segunda, BPSK ("binary pulse-shift keying", chaveamento binário de alternância de pulso), consiste em modular pela fase do pulso, 0º ou 180º, pulso negativo ou pulso positivo. 

sobe

    Pesquisadores da Universidade de Illinois- EUA descobriram uma técnica de fabricar microlaser com apenas 1 nm - uma pequena esfera com cerca de 20 átomos de Silício.
    Uma pastilha ("wafer") comum de Silício, comercialmente usada para produção de semicondutores, é imersa em um banho de fluorido de Hidrogênio e peróxido de Hidrogênio. Quando uma corrente elétrica atravessa o recipiente a superfície do wafer é quebrada, surgindo uma rede de nanopartículas fluorescentes.
    As nanopartículas podem ser separadas em tipos bem determinados. Quando elas formam um aglomerado de 29 átomos de Silício, com diâmetro 1,67 nm, resulta um foco azul fluorescente. Para aglomerados de 1,67 nm, com 123 átomos, resulta um alto brilho sob excitação de ultra-violeta. Partículas de 2,5 nm produzem luz amarela e de 2,9 nm luz vermelha. 
    Após tratamento da superfície do wafer uma nova camada pode sofrer o mesmo processo, criando outra rede de nanopartículas.
    O mais interessante é que estas partículas induzem o processo no wafer em outras partículas ainda não fluorescentes, o que é uma característica do laser (emissão estimulada). 

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