edição-redação: Maurício Caruzo Reis- LETRON LIVROS 
                               setembro/outubro 2002
                     Eletronicaria - Notícias
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                           Tecnologia

*AMD desenvolve transistor de 0,01 mícrons
*Pó inteligente como sensor
        
        
 *AMD desenvolve transistor de 0,01 mícrons

     A AMD anunciou que desenvolveu um transistor de 0,01 mícrons (10nm), o menor já fabricado até hoje. A invenção foi feita em colaboração com a Universidade de Califórnia e SRC- SEMICONDUCTOR RESEARCH CORP. Pesquisas semelhantes estão sendo desenvolvidas pela IBM, INTEL e TSMC.
     A tecnologia é denominada FinFET. O transistor tem duplo gate, os 10nm referem-se ao seu comprimento. Um fio de silício vertical muito fino ("fin") controla a corrente de vazamento quando o transistor está cortado.
     Com o FinFET a AMD espera produzir CIs com mais de 1 bilhão de transistores integrados. Isto seria ideal principalmente para processadores de alto desempenho, especialidade da AMD.

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  *Pó inteligente como sensor

     Na Universidade da Califórnia pesquisadores desenvolveram um pó inteligente, capaz de identificar milhões de tipos de substâncias dispersas no ar. Aplicação em vista: detectar gases venenosos e bactérias contagiosas.
     O pó é fabricado a partir de wafer de Silício, cuja superfície passa por processo de enrugamento. A reflexão na superfície do Silício depende do tipo de molécula que o atinge, formando uma assinatura correspondente a 20 bits. Moendo o wafer as partículas do pó formado conservam estas propriedades de reflexão.
     O pó inteligente é lançado no ar e a cerca de 20 metros um laser incide nele. O estudo das cores refletidas do laser indicam quais moléculas estão presentes naquele ambiente. Aperfeiçoamentos podem levar a 1Km a distância do laser, aumentando a segurança dos analistas contra possíveis contaminações.

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