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Maurício Caruzo Reis- LETRON LIVROS
maio/junho
2004
Eletronicaria
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Tecnologia
*Oligotron-
a Eletrônica de plástico
*Tecnologia
de memória flash procura sucessora
*Oligotron-
a Eletrônica de plástico
A pesquisa por material plástico condutor elétrico já está em
fase avançada. O plástico é ideal para indústria: diluído num
solvente é facilmente maleável, retirando o solvente (cura) endurece e
adquire uma forma rígida desejada. Um circuito elétrico de plástico
pode ser projetado, impresso num substrato (mesma tecnologia ink-jet ou
laser de impressoras de computador), e a após a cura se comportar como
uma placa de circuitos comum.
Quase todos materiais de plástico condutor são baseados no
composto químico Pedot. Mas o Pedot apresenta um grave problema: seu
solvente é à base de água, que é corrosiva para este tipo de plástico
condutor.
A TDA, financiada pela National Science Foundation dos EUA, chegou
a um resultado que contorna os problemas do solvente à base de água do
Pedot e abre as portas para aplicações em larga escala da Eletrônica de
plástico. É o Oligotron, material patenteado e que está sendo oferecido
em versão Beta-teste para laboratórios e indústrias.
Oligotron é um co-polímero multi-bloco altamente condutivo e solúvel.
Duas moléculas não condutivas são acrescentadas ao núcleo condutivo do
Pedot, nas extremidades de sua molécula. Com isto o Pedot alterado para
Oligotron torna-se solúvel em solventes como carbonato propileno, acetona
e nitrometano.
O artifício resulta num bônus altamente desejável para a Eletrônica.
Moléculas especializadas podem ser acrescentadas nas extremidades do
Oligotron, para fins específicos de funções eletrônicas.
sobe
*Tecnologia
de memória flash procura sucessora
Existe boa previsibilidade para o desenvolvimento de memória flash até
processos de fabricação 65nm e 45nm. Isto ocorrerá em 5 anos, próximo
a ano 2010. Abaixo desta dimensão de 45nm, para garantir a crescente integração
e redução de tamanho, a tecnologia se tornará inviável e precisará de uma
sucessora, ainda não definida.
STEFAN LAI, cientista da INTEL e um dos inventores da tecnologia ETOX de
memória flash, apresentou visão bem diferente do que o mercado tem a respeito.
Segundo ele a MRAM- RAM magnética tem pouca chance de suceder à memória
flash, pois é baseada em transistores, que são difíceis de escalonamento, ao
contrário de diodos. Também não vê muito futuro para memórias baseadas em
materiais convencionais perovskite ferroelétricos.
LAI, e a INTEL, estão apostando em memórias ferroelétricas de polímeros
(plástico). A INTEL inclusive fechou contrato de pesquisa com a norueguesa
OPTICOM e sua subsidiária THIN FILM ELECTRONICS.
sobe
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